Wolfspeed 射频器件核心在于 GaN HEMT。它所能实现的性能远超任何其他技术，而且适用于任何应用。Wolfspeed GaN HEMT ，提供世界一流的带宽、效率和工作频率。
数十年来，Wolfspeed 一直推动射频技术的进步发展，并成为商用和军用航空、空中交通管制、天气服务、飞行器到卫星的通信、太空探索等领域无线通信和雷达系统的核心技术。Wolfspeed的创新，包括了突破性碳化硅基氮化镓研发、完全整合的设计支持、以及定制组装等。所有这些创新都助力 Wolfspeed 不断地为客户提供在尺寸、重量和功率方面具有显著 优势的解决方案。我们可作为完整的射频系统设计合作伙伴，为您提供碳化硅基氮化镓（已封装和裸芯片）和 LDMOS 器件丰富产品组合。
Wolfspeed 提供用于通信系统设计的碳化硅基氮化镓和 LDMOS 功率晶体管丰富产品组合，以支持从 450 MHz 至 5 GHz和功率水平达到1,000 W的所有全球标准和频带。关键特性包括高功率 Doherty 设计，在 DPD 系统中易于使用，开放式共振腔封装和塑料封装选项，以及参考设计。随着 5G 的不断扩展和成熟，我们将继续扩大和探索宽禁带半导体碳化硅基氮化镓的固有优势，为全球各地的设计者和开发者提供更高的性能。Wolfspeed 拥有 30 多年宽禁带半导体材料和产品创新的丰富经验，实现性能更高、消耗更少的行业领先器件，是满足您射频需求的完整设计合作伙伴。
Wolfspeed GaN HEMT 器件非常适合要求高可靠性和高效率的超宽带放大器应用。其高功率密度、低干扰和高截止频率 FT 的内在特性，使其支持瞬时带宽放大器的多倍频程。该系列产品包括了出类拔萃的已封装分立式晶体管（工作电压 28 伏，输出功率 6 W 至 240 W [连续波CW]）和已封装 50 欧姆 MMIC 放大器（工作电压 28 伏，适合DC-18 GHz 应用）。该产品组合还包括分立式裸芯片和 MMIC 裸芯片，针对混合型放大器和多功能传输/接收模块而设计。
Wolfspeed GaN HEMT 器件减少了对于散热器的要求，非常适合超宽带放大器应用。其高功率密度、低干扰和高截止频率 FT 的内在特性，使其支持瞬时带宽放大器的多倍频程。该系列产品包括已封装分立式晶体管 和分立式裸芯片（针对混合型放大器和多功能传输/接收模块而设计），其工作电压为 40 伏，输出功率为 6 W 至 70 W（连续波CW），适合DC-18 GHz 应用。
Wolfspeed GaN HEMT 器件非常适合超宽带放大器应用，并具有高击穿电压的特点。其高功率密度、低干扰和高截止频率 FT 的内在特性，使其支持瞬时带宽放大器的多倍频程。该系列产品包括出类拔萃的已封装分立式晶体管（工作电压 50 伏，输出功率 15 W 至 350 W [连续波CW]）和 已封装50 欧姆 MMIC放大器（工作电压 50 伏，适合DC-6 GHz 应用）。该产品组合还包括分立式裸芯片和 MMIC 裸芯片，针对混合型放大器和多功能传输/接收模块而设计。
Wolfspeed 提供支持卫星通讯的高效率、高增益碳化硅基氮化镓器件，以多载波流（每兆赫最快比特/秒的传输速率）实现全视频带宽。这些器件还提供卓越的热特性：通过更有效地散热，碳化硅基氮化镓可以在更低温度下工作。凭借涵盖射频功能的产品组合以及业界领先的更高可靠性，Wolfspeed 是帮助开发下一代卫星通讯解决方案的首选合作伙伴。
